面向数字经济等发展需求？怎样炒股入门知识1、本公司及统统董事、审计委员会委员、高级经管职员容许召募仿单及其他音讯披露原料不存正在任何子虚记录、误导性陈述或强大漏掉，并对实在正在性、无误性及完美性继承相应的法令义务。

　　2、公司承担人、主管司帐处事承担人及司帐机构承担人保障召募仿单中财政司帐原料线、中邦证监会、上海证券业务所对本次发行所作的任何决意或主张，均不评释其对申请文献及所披露音讯的实正在性、无误性、完美性作出保障，也不评释其对发行人的剩余本领、投资代价或者对投资者的收益作出本色性判决或保障。

　　4、遵循《证券法》的原则，证券依法发行后，发行人策划与收益的改观，由发行人自行承担。投资者自决判决发行人的投资代价，自决作出投资决议，自行继承证券依法发行后因发行人策划与收益改观或者证券代价改观引致的投资危急。

　　本公司额外提请投资者贯注，正在作出投资决议之前，务必当心阅读本召募仿单正文实质，并额外体贴以下紧要事项。

　　本次发行的股票为境内上市公民币寻常股（A股），每股面值公民币 1.00元。

　　本次发行总计采纳向特定对象发行 A股股票的形式，正在经上交所审核通过以及得回中邦证监会予以注册的文献后，将正在原则的有用期内择机发行。

　　本次发行对象为不赶过 35名适合中邦证监会原则前提的特定对象，包罗证券投资基金经管公司、证券公司、相信公司、财政公司、资产经管公司、保障机构投资者、及格境外机构投资者、其他境内法人投资者、自然人或其他及格投资者。证券投资基金经管公司、证券公司、及格境外机构投资者、公民币及格境外机构投资者以其经管的 2只以上产物认购的，视为一个发行对象；相信公司动作发行对象的，只可以自有资金认购。

　　本次向特定对象发行 A股股票的认购对象尚未确定，最终发行对象将正在本次发行通过上交所审核并得回中邦证监会予以注册的文献后，由董事会及其授权人士正在股东会授权局限内根据中邦证监会、上交所等有权部分的联系原则，遵循竞价情景与保荐机构（主承销商）讨论确定。若发行时邦度法令、规则或模范性文献对发行对象另有原则的，从其原则。整个发行对象均以统一代价认购本次发行股票，且以公民币现金形式认购。

　　本次向特定对象发行股票采纳竞价发行形式，本次向特定对象发行的订价基准日为发行期首日。

　　本次向特定对象发行股票的发行代价为不低于订价基准日前二十个业务日 （不含订价基准日，下同）公司股票业务均价的 80%，上述均价的盘算公式为： 订价基准日前二十个业务日股票业务均价=订价基准日前二十个业务日股票业务 总额/订价基准日前二十个业务日股票业务总量。若公司股票正在该二十个业务日 内爆发因派息、送股、配股、本钱公积转增股本等除权、除息事项惹起股价调动 的景象，则对换整前业务日的业务代价按原委相应除权、除息调动后的代价盘算。 若公司股票正在订价基准日至发行日时刻爆发派息、送股、本钱公积金转增股 本等除权、除息事项，本次发行的发行代价将作相应调动。调动形式如下： 最终发行代价将正在本次发行申请得回上交所审核通过并经中邦证监会作出予以注册决意后，由公司董事会及其授权人士遵循股东会授权与保荐机构（主承销商）按拍照闭法令规则的原则和禁锢部分的哀求，依照代价优先等规定，遵循发行对象申购报价情景讨论确定，但不低于前述发行底价。

　　本次向特定对象发行股票的数目根据召募资金总额除以发行代价确定，且不赶过本次发行前公司总股本的 30%，即本次发行不赶过 84,349,179股（含本数）。

　　最终发行数目由公司董事会及其授权人士遵循股东会授权、中邦证监会及上交所联系原则、中邦证监会注册的发行数目上限与保荐机构（主承销商）讨论确定。

　　若公司正在审议本次向特定对象发行事项的董事会决议布告日至发行日时刻爆发送股、本钱公积金转增股本等除权事项或者因股份回购、股权激发安插等事项导致公司总股本爆发改观，本次向特定对象发行的股票数目上限将作相应调动。

　　若本次向特定对象发行的股份总数因禁锢战略改观或遵循发行注册文献的哀求予以改观或调减的，则本次向特定对象发行的股份总数及召募资金总额届时将相应改观或调减。

　　本次发行告竣后，发行对象认购的股票自愿行已毕之日起六个月内不得让渡。法令规则、模范性文献对限售期另有原则的，依其原则。

　　本次发行告竣后至限售期届满之日止，发行对象基于本次发行所博得的股票因公司分派股票股利、本钱公积金转增股本等景象所衍生博得的股票亦应死守上述股份锁定策画。限售期届满后，该等股份的让渡和业务还需死守《公法令》《证券法》以及《上海证券业务所科创板股票上市准则》等联系法令规则及模范性文献的原则。

　　本次向特定对象发行股票召募资金总额不赶过公民币 460,000.00万元（含本数），扣除发行用度后的召募资金净额拟参加以下项目：

　　注：个中“高端半导体摆设物业化基地开发项目”系公司操纵初次公斥地行召募资金26,826.60万元投资的项目，公司拟操纵本次召募资金 150,000.00万元对其实行追加投资，节余 3.51万元以自有资金参加。

　　正在上述召募资金投资项目标局限内，公司可遵循项目标进度、资金需求等本质情景，对相应召募资金投资项目标参加顺次和实在金额实行适合调动，召募资金到位前，公司可能遵循召募资金投资项目标本质情景，以自有或自筹资金先行参加，并正在召募资金到位后予以置换。召募资金到位后，若扣除发行用度后的本质召募资金净额少于拟参加召募资金总额，不够一面由公司以自有或自筹资金办理。

　　本次向特定对象发行股票决议的有用期为自公司股东会审议通过之日起 12个月。

　　本公司额外提示投资者当心阅读本召募仿单“第六节 与本次发行联系的风陡峭素”全文，并额外贯注以下危急：

　　近年来，受下逛新兴需求不息呈现、半导体物业向中邦大陆搬动、客户本钱性支付增进等要素影响，邦内半导体摆设商场需求合座呈一连伸长趋向。但因为半导体行业受邦际经济震撼、终端消费商场需求改观等方面影响较大，其成长往往流露必定的周期性震撼特性。正在半导体行业上行周期中，半导体芯片筑设厂往往加大本钱性支付，速捷提拔对半导体摆设的需求；若另日半导体行业处于下行周期中，半导体芯片筑设厂往往会裁减本钱性支付，裁汰对半导体摆设的需求。

　　前述宏观境况及行业震撼形成的半导体摆设需求震撼，不妨会为公司的交易成长和经生意绩带来必定震撼性危急。

　　半导体摆设行业具有很高的身手壁垒和商场壁垒。目前公司的角逐敌手厉重为邦际出名半导体摆设筑设商，因为半导体产线对付摆设身手秤谌、安靖性、摆设间配合度哀求极高，因而半导体摆设的验证周期与导入周期日常较长，与中邦大陆半导体专用摆设厂商比拟，邦际领先筑设商往往正在客户端具备必定先发上风；其余，存正在邦内潜正在角逐敌手进入本行业插手角逐的不妨性，惹起行业角逐格式的改观。虽然公司的厉重产物与中心身手目前具备较大的领先位子与角逐上风，但若无法有用应对商场角逐境况、保卫身手立异迭代本领并保留产物角逐上风，则公司的行业位子、商场份额、经生意绩等不妨会受到必定影响。

　　正在分娩阶段，公司厉重遵循客户的区别化需乞降采购意向，实行定制化安排及分娩筑设。薄膜重积摆设动作前道筑设中心摆设，其身手特征决意了下逛往往必要深度验证目标工艺的安靖性与一律性，正在客户端的验证周期较长，因而公司发出商品跟着交易界限扩张、产物品种的增进、正在手订单界限的放大而增进，陈述期各期末，公司的发出商品账面代价离别为 129,077.49万元、190,177.27万元、413,448.88万元和 464,901.74万元。倘使另日产物验收情景不足预期或展示较大身手迭代，不妨导致公司一面发出商品可变现净值低于账面净值，需计提发出商品贬价企图，从而影响公司的剩余秤谌。

　　陈述期各期末，公司应收账款账面余额离别为 26,558.22万元、54,095.07万元、151,846.15万元和 125,925.06万元，占对应时刻的生意收入的比例离别为15.57%、20.00%、37.00%和 29.84%，公司应收账款金额较大。跟着公司策划界限的放大，应收账款金额将不妨进一步增进，公司面对资产周转率消重、营运本钱占用增进的危急。倘使另日展示公司应收账款催收不力或厉重客户本身爆发强大策划艰难导致公司无法实时收回货款的情景，将对公司利润秤谌出现必定影响。

　　公司正在陈述期内一连继承实行邦度强大专项或课题及地方政府科研项目，收到的政府补助厉重是对公司研发参加的支柱。倘使公司另日不行一连得回政府补助，或政府补助明显消重，公司将必要参加更众自筹资金用于研发，进而影响公司滚动资金界限。

　　同时，陈述期内公司享福高新身手企业所得税等税收优惠战略，倘使邦度上述税收优惠战略爆发改观，则不妨面对因税收优惠裁汰或撤销对净利润形成必定水平的影响。

　　近年来，半导体芯片制程和身手迭代速率一连加快，行业已慢慢迈入后摩尔求也日益提拔。正在此后台下，公司一连保留高强度的研发参加，紧跟芯片筑设工艺、根底学科的成长目标，藏身邦内半导体筑设物业本质需求与产线迭代法则，延续深化与客户协同研发的机制，精准锚定其特定工艺质料、特定筑设工序高端半导体摆设的中心哀求，编制性筹办工艺优化和迭代目标，专项斥地定制化、高适配度的办理计划，支柱下逛芯片筑设厂身手升级和速捷扩产。

　　若行业身手成长趋向及下逛研发转机爆发强大改观，下逛芯片筑设厂未延续此前与公司协同研发的身手途途，公司身手研发将不妨展示与下逛身手研发道途分歧步等情景，不妨展示无法实时反响下旅客户对产线摆设和工艺身手的需求并对公司的经生意绩形成晦气影响。

　　公司本次发行召募资金投资项目厉重用于高端半导体摆设扩产、前沿身手研发和增加滚动资金，是基于现时行业趋向、商场境况、公司交易情状和另日成长策略等要素确定的，召募资金投资项目原委了留心、充溢的可行性商量论证。若前述要素爆发强大改观，本次召募资金投资项目标投资进度、开发进程及实行结果等将存正在必定的不确定性，募投项目亦不妨面对无法准时利市实行的危急。

　　高端半导体摆设物业化基地开发项目是为明显提拔公司高端半导体摆设的研发、分娩本领，以应对另日下旅客户进步产线扩产、工艺升级对高端半导体摆设的需求。但若另日展示邦际邦内地步爆发强大晦气改观、半导体行业景心胸下行等晦气情景，导致下旅客户扩产进度放缓或商场需求不足预期，公司将面对募投项目短期内无法剩余的危急。

　　前沿身手研发核心开发项目是为策略构造薄膜重积摆设规模的前沿中心身手，斥地可实用于前沿身手规模的新产物、新工艺，是盘绕邦度物业战略目标、行业身手立异趋向和公司自决研发本领等归纳确定，募投项目原委了留心、充溢的可行性商量论证。但若行业身手成长趋向及下逛研发转机爆发强大改观，公司本次募投项目标身手研发将不妨展示未达研发方针、物业链协同研发进度分歧步等情景，公司将面对募投项目标研发功效不达预期的危急。

　　本次向特定对象发行股票联系事项仍旧公司第二届董事会第十八次聚会审议、公司 2025年度第三次姑且股东大会及公司第二届董事会第二十次聚会审议通过。

　　拓荆科技股份有限公司（就本召募仿单中涉及公司交易的联系 实质，除额外解释外，含团结报外局限内的治下公司）

　　Piotech International Corporation，系公司全资子公司

　　经中邦证监会审批向境内投资者发行、正在境内证券业务所上市、 以公民币认购和业务、每股面值为公民币1.00元的寻常股

　　拓荆科技股份有限公司股东会，2025年11月19日前称拓荆科技股 份有限公司股东大会

　　拓荆科技股份有限公司监事会，于2025年11月19日经公司股东大 会决议撤销

　　2022年12月31日、2023年12月31日、2024年12月31日及2025年9 月30日

　　第九条、第十条、第十一条 第十三条、第四十条、第五十七条、第六十条相闭原则的适宅心 睹——证券期货法令适宅心睹第18号》

　　Semiconductor Equipment and Materials International，邦际半导体 摆设与质料协会

　　Applied Materials, Inc，即操纵质料公司，出名半导体筑设摆设供 应商，总部位于美邦

　　Lam Research Corporation，即泛林半导体公司，出名半导体筑设 摆设供应商，总部位于美邦

　　Tokyo Electron Limited，即东京电子有限公司，出名半导体摆设 筑设商，总部位于日本

　　SUSS MicroTec SE，微构造摆设和工艺办理计划供应商, 总部位 于德邦

　　半导体筑设中任何正在硅片衬底上重积一层膜的工艺。这层膜可能 是导体、绝缘物质或者半导体质料。重积膜可能是二氧化硅、氮 化硅、众晶硅以及金属。薄膜重积摆设正在半导体的前段工序FEOL （制制晶体管等部件）和后段布线工序BEOL（将正在FEOL筑设的 各部件与金属质料连合布线以酿成电途）均有众处操纵

　　正在氧化/扩散、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜滋长、洗刷与掷光 金属化等特定工艺加工进程中的硅片

　　通过一系列特定的加工工艺，将半导体硅片加工筑设成芯片的过 程，日常分为前道晶圆筑设和后道封装测试

　　公司发卖运动中，一面客户哀求预先验证公司分娩的机台，待工 艺验证通事后转为正式发卖。Demo机台大凡是新工艺、新机型 的首台摆设

　　正在半导体筑设的终末阶段，将一小块质料（如芯片）包裹正在支柱 外壳中，以防范物理损坏和侵蚀，并首肯芯片连合到电途板的工 艺

　　处于前沿的封装体例和身手。目前，带有倒装芯片（FC）构造封 装、晶圆级封装（WLP）、编制级封装（SiP）、硅通孔身手（TSV） 2.5D封装、3D封装等均被以为属于进步封装规模

　　Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器

　　High Bandwidth Memory，是一种基于3D堆叠身手的高功能 DRAM办理计划

　　一种新兴的闪存类型，通过把内存颗粒堆叠正在一同来办理2D或者 平面NAND闪存带来的束缚

　　Chemical Vapor Deposition，化学气相重积，是指化学气体或蒸汽 正在基底皮相响应合成涂层或纳米质料的举措，是半导体工业中应 用最为普遍的用来重积众种质料的身手，包罗地势限的绝缘材 料，大无数金属质料和金属合金质料

　　Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体巩固化学 气相重积

　　紫外固化，紫外固化是辐射固化的一种，是应用紫外线UV出现 辐射聚集、辐射交联等效力，可能有用刷新薄膜的物理功能和化 学功能

　　Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition，等离子体巩固原子层 重积

　　Thermal Atomic Layer Deposition，热管制原子层重积

　　Sub-atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition，次常压化学 气相重积

　　High Density Plasma Chemical Vapor Deposition，高密度等离子体 化学气相重积

　　Flowable Chemical Vapor Deposition，滚动性化学气相重积

　　Tetraethyl Orthosilicate，正硅酸乙酯，可动作SiO薄膜的响应源 2

　　Silicon Oxynitride，即氮氧化硅，厉重用于光刻进程中的消光作 用，进步曝光功效

　　N-FREE DARC（Nitrogen-free Dielectric Anti-reflective Coating） 厉重用于光刻进程中的消光效力，进步曝光功效，避免光刻胶中 毒

　　Fluorinated Silicate Glass，即掺杂氟的氧化硅，做为层间介质层 可能消重介质层的介电常数，裁汰寄生电容

　　Shallow Trench Isolation，大凡用于0.25微米以下工艺，通过图形 化工艺正在晶体管构造之间酿成槽填充绝缘层，以到达晶圆皮相器 件之间断绝

　　Phospho-silicate Glass，即掺杂磷的二氧化硅，可用于金属布线层 间的绝缘层、回流介质层和皮相钝化护卫层

　　Boro-phospho-silicate Glass，即掺杂了硼和磷的二氧化硅

　　正在集成电途筑设进程中重积的Lok Ⅰ、Lok Ⅱ、ADC Ⅰ、ACHM、α-Si 等介质薄膜质料

　　掺碳氧化硅薄膜，是低介电常数薄膜，厉重操纵于集成电途芯片 后段互连层间介导层，通过低介电常数，消重电途的泄电电流， 消重导线之间的电容效应，进步芯片功能

　　超低介电常数薄膜，为Lok Ⅰ的下一代新型介质薄膜，通过相对付 Lok Ⅰ更低的超低介电常数，消重电途的泄电电流，消重导线之间 的电容效应，进步芯片功能

　　Amorphous Cabon Hard Mask，非晶碳硬掩模，该薄膜或许供应良 好的刻蚀采取性

　　Nitrogen Doped Carbide，进步掺氮碳化硅薄膜，厉重操纵于扩散 阻止层以及刻蚀阻止层，因为较低的介电常数，可能消重导线间 的电容成果，提拔了芯片合座的传输功能

　　Oxide Doped Carbide，进步掺氧碳化硅薄膜，厉重操纵于扩散阻 挡层以及刻蚀阻止层，相较ADC Ⅰ可能杀青更低的介电常数，降 低导线间的电容成果，提拔了芯片合座的传输功能

　　High Tensile Nitride，即高应力氮化硅，厉重用于进步制程中的前 道应力回忆层，通过应力回忆减小短沟道效应，巩固载流子迁徙 率，进步器件速率

　　Amorphous Silicon，非晶硅，厉重操纵正在硬掩模以杀青小尺寸高 深宽比的图形通报

　　四边形传片平台，最众搭载3个响应腔，每个响应腔内最众有2个 重积站，每次可能同时最众管制6片晶圆

　　由2个四边形传片平台相连合，最众搭载5个响应腔，每个响应腔 内最众有2个重积站，每次可能同时最众管制10片

　　四边形传片平台，最众搭载3个响应腔，每个响应腔内有6个重积 站，每次可能同时最众管制18片晶圆

　　六边形传片平台，最众搭载5个响应腔，每个响应腔内有2个重积 站，每次可能同时最众管制10片晶圆

　　六边形传片平台，即TS-300型号平台的缩小版，最众搭载5个反 应腔，每个响应腔内有1个重积站，每次可能同时最众管制5片晶 圆

　　五边形传片平台，最众搭载4个响应腔，每个响应腔有2个重积站 每次可能同时最众管制8片晶圆

　　本召募仿单除额外解释外所少睹值保存两位小数，若展示总数与各分项数值之和尾数不符的情景，均为四舍五入原由形成。

　　邦投（上海）创业投资经管有限公司－邦投（上海） 科技功效转化创业投资基金企业（有限联合）

　　中邦工商银行股份有限公司－易方达上证科创板 50 成份业务型盛开式指数证券投资基金

　　招商银行股份有限公司－中原上证科创板 50成份交 易型盛开式指数证券投资基金

　　中信证券股份有限公司－嘉实上证科创板芯片业务 型盛开式指数证券投资基金

　　公司厉重从事高端半导体专用摆设的研发、分娩、发卖与身手任职，所处的行业为半导体专用摆设行业。遵循邦度统计局颁布的《邦民经济行业分类》（GB/T4754-2017），公司从属于“专用摆设筑设业”下的“半导体器件专用摆设筑设”（C3562）；遵循邦度统计局颁发的《策略性新兴物业分类（2018年版）》，公司从属于新一代音讯身手物业下的集成电途筑设行业。

　　公司所处行业政府主管部分为邦度工业和音讯化部及科技部，行业自律构制为中邦半导体行业协会和中邦电子专用摆设工业协会。

　　工信部厉重承担制定实行行业筹办、物业战略和程序，监测工业行业平时运转，饱吹强大身手配备成长和自决立异，经管通讯业，诱导促进音讯化开发，协和保护邦度音讯平和等。

　　科技部厉重承担制定邦度立异驱动成长策略目的以及科技成长、引进外洋智力筹办和战略并构制实行，牵头科研项目资金协和、评估、禁锢机制，制定邦度根底商量筹办、战略和程序并构制实行，编制邦度强大科技项目筹办并监视实行等。

　　中邦半导体行业协会和中邦电子专用摆设工业协会厉重承担贯彻落实政府物业战略；发展物业及商场商量，向会员单元和政府主管部分供应商量任职；行业自律经管；代外会员单元向政府部分提生产业成长倡议和主张等。

　　半导体行业是支柱经济成长、社会提高、邦防平和的紧要气力，而高端半导体摆设是驱动这一物业成长的基石。正在数字经济成为经济成长新动力、半导体芯片身手一连迭代，并慢慢向精巧化、眇小化成长的趋向下，高端半导体摆设的紧要位子日益凸显。近年来，邦度出台一系列促进扶助战略，为高端半导体摆设行业的高质地成长供应了有力支柱。联系战略实在实质列示如下：

　　《闭于印发电子音讯 筑设业 2023—2024年 稳伸长作为计划的通 知》

　　面向数字经济等成长需求，优化集成电 途、新型显示等物业构造并提拔高端供 给秤谌，巩固质料、摆设及零配件等配 套本领。

　　出力提拔“根底软硬件、中心电子元器 件、闭节根底质料和分娩配备的提供水 平，加强闭节产物自给保护本领”。

　　《中华公民共和邦邦 民经济和社会成长第 十四个五年筹办和 2035年前景方针原则》

　　造就进步筑设业集群，饱吹集成电途、 航空航天、船舶与海洋工程配备、机械 人、进步轨道交通配备、进步电力配备、 工程刻板、高端数控机床、医药及医疗 摆设等物业立异成长。

　　《邦务院闭于印发新 功夫促使集成电途产 业和软件物业高质地 成长若干战略的知照》

　　半导体摆设动作半导体物业链的身手先导者和中心支柱，是半导体物业成长的根底和身手提高的原动力，直接影响半导体物业合座的身手秤谌与立异本领。

　　跟着半导体身手的迭代升级及工艺制程的提拔，半导体元器件慢慢向精巧化、眇小化成长，对筑设工艺身手不息提出离间，半导体摆设的紧要位子日益凸显。

　　跟着数字化、主动化、智能化需求的海潮迭起，以人工智能、高功能盘算、 物联网、数据核心、智能驾驶等为代外的新兴物业的立异成长将成为半导体行业 及物业链上下逛需求伸长的中心驱动力。个中，人工智能身手的速捷成长必要依 靠超大界限算力动作根底支柱，这对付半导体芯片的工艺、功能及产能等方面均 出现了更高的哀求，半导体行业正进入空前绝后的改革时期，进而充溢带头半导 体摆设的商场需求量。因为终端强劲需求及物业成长的一连美满，环球半导体设 备合座商场界限正在 2021-2024年一连赶过 1,000亿美元，估计 2025年将创下 1,255 亿美元的新记载，同比伸长 7.4%。个中，中邦大陆 2024年半导体摆设发卖额为 495.5亿美元，商场占比到达 42.30%，一连五年留任半导体摆设最大简单商场。 数据来历：SEMI

　　遵循 SEMI预测，跟着 AI身手的一连驱动以及对 AI芯片需求的激增，环球300mm芯片筑设厂摆设投资支付将于 2025年头次打破 1,000亿美元，到达 1,070亿美元，并将于2028年到达1,380亿美元，个中，中邦大陆将一连领先环球300mm芯片筑设厂摆设支付，2026-2028年间投资总额将到达 940亿美元。伴跟着我邦半导体物业一连的加大参加与战略扶助，邦内半导体摆设物业取得长足的成长，邦内半导体摆设厂商也将迎来伟大的滋长时机。

　　正在半导体摆设物业中，薄膜重积摆设与光刻摆设、刻蚀摆设并称为前道筑设三大中心配备，是杀青集成电途进步逻辑规模及 3D NAND、3D DRAM、高带宽存储器（HBM）等进步存储规模芯片身手打破的中心支柱，薄膜重积摆设所重积的薄膜是芯片构造内的效力质料层，正在芯片筑设进程中需求量伟大，且直接影响芯片的功能。遵循 SEMI统计，2024年芯片筑设摆设发卖额到达约 1,042亿美元，2025年估计同比伸长赶过 6%，到达 1,108亿美元，占总体半导体摆设发卖 额的比例近 90%。而遵循史书年度统计，薄膜重积摆设商场界限约占芯片筑设设 备商场的 22%，由此阴谋，2025年环球薄膜重积摆设商场界限约为 244亿美元。 团结 2024年中邦大陆半导体筑设摆设发卖额占环球半导体筑设摆设发卖额的比 例 42.30%测算，2025年中邦大陆薄膜重积摆设商场界限将赶过 100亿美元，具 有开朗的商场空间。 正在薄膜重积摆设细分规模中，分歧的摆设身手道理分歧，所重积的薄膜品种和 功能分歧，实用于芯片内分歧的操纵工序，个中公司所聚焦的 PECVD、ALD、 SACVD、HDPCVD及 Flowable CVD等薄膜重积摆设的厉重操纵及薄膜质料如图示： 正在逻辑芯片中的厉重操纵图示 正在 3D NAND存储芯片中的厉重操纵图示 正在 DRAM存储芯片中的厉重操纵图示 遵循 SEMI统计，PECVD是薄膜摆设中占比最高的摆设类型，约占合座薄 膜重积摆设商场的 33%，ALD摆设占比约为 11%，而 SACVD、HDPCVD、Flowable CVD属于其他薄膜重积摆设类目下的产物，占比约为 6%。 环球半导体摆设及芯片筑设摆设占比情景 数据来历：SEMI，同行业公司按期陈述

　　跟着后摩尔时期的驾临，芯片制程一连亲近物理极限，仅依赖平面工艺微缩已无法杀青芯片功能的一连提拔迭代，身手途途慢慢转向三维架构安排及芯片堆叠形式，三维集成身手是杀青芯片高密度互连、三维堆叠及编制级集成的闭节工艺，已成为饱吹半导体行业成长的紧要趋向。进步键合摆设依附其打破性身手上风成为三维集成身手规模的中心摆设，为三维集陋习模供应总共的身手办理计划，并带来了新的商场空间和时机。据 Yole统计，环球进步封装商场中 2.5D封装和 3D封装商场界限估计从 2023年的 43亿美元速捷增至 2029年的 280亿美元，年复合伸长率达 37%。

　　正在三维集成摆设行业方面，面向新的身手趋向和商场需求，公司主动构造， 凯旋研发并推出了操纵于三维集陋习模的进步键合摆设（包罗混杂键合、熔融键 合摆设）及配套操纵的量检测摆设。进步键称身手正在三维集陋习模的厉重操纵如 图示： 三维集成摆设的操纵场景随半导体身手演进一连拓展，已酿成众规模需求共振的格式。正在 3D NAND存储规模通过晶圆混杂键称身手杀青存储单位与逻辑电途的笔直堆叠，办理正在简单晶圆上同时筑设存储单位和庞杂逻辑电途导致的良率低、本钱高的题目；正在动作AI算力需求激增的中心受益规模高带宽存储器（HBM）中，估计混杂键称身手将被引入以支柱更高的堆叠层数和互连密度，将带来对混杂键合摆设的新需求；正在 3D DRAM规模，依托三维集成身手杀青存储芯片的笔直堆叠与高密度互连，打破守旧平面封装的功能瓶颈，大幅提拔芯片带宽与存储容量，同时消重功耗，知足 AI锻炼、高功能盘算等对内存功能哀求厉苛的场景；正在 CIS（CMOS图像传感器）规模，混杂键合使得“三层堆叠”乃至“众层堆叠”成为不妨，除了根底的像素层和逻辑层，还可能将 DRAM缓存层也键合进来，杀青 CIS芯片内的高速数据缓冲；正在 3D封装、Chiplet、异质集成等规模，通过晶圆对晶圆、芯片对晶圆等混杂键称身手杀青分歧效力芯片的高密度集成，冲破单芯片制程演进的物理束缚，助力终端芯片产物杀青功能跃升与尺寸微型化。

　　（1）高端半导体摆设系半导体物业链的闭节闭头，身手壁垒高，研发向量产转化周期长，需上下逛协同立异、深度协作

　　半导体物业是饱吹科技提高的闭节气力，更是支柱邦度经济成长的紧要支柱，而半导体摆设行业动作支柱半导体物业的根底，其中心角逐力源于跨学科前沿常识的深度集成与一连立异本领，涉及等离子体物理、射频及微波学、微观分子动力学、构造化学、光谱学、能谱学、精巧刻板、真空刻板传输、软件算法等众种科学身手及工程规模学科常识的归纳操纵，属于高度庞杂的身手茂密型物业。因为研发身手庞杂且集成度高、筑设难度大、摆设代价上等特质，高端半导体摆设亦被公以为工业界精巧筑设最高秤谌的代外之一。

　　半导体行业的身手研发与身手演进流露高度的前瞻性，行业领先摆设厂商需提前构造并搜索百般物理极限和质料打破，发展超前于现时芯片筑设节点身手代际的根底商量与工艺斥地。其余，半导体芯片筑设厂对高端半导体摆设的质地、身手参数、安靖性等有着极为厉苛的哀求。芯片筑设进程精巧度高、筑设工艺繁众，半导体摆设额外是薄膜重积摆设等中心摆设功能的眇小区别经众道工艺放大后，不妨对下旅客户的产物良率、分娩成果与本钱形成极大晦气影响，因为薄膜重积摆设所重积的薄膜日常会留存正在芯片中，薄膜的身手参数影响芯片功能的水平更为光鲜。因而，下旅客户对高端摆设供应商的采取也较为留心，优先选用行业内产物身手领先的厂商，并对其摆设实行较长周期的验证流程。半导体物业链上下逛企业盘绕芯片筑设工艺、根底学科的成长目标、产线迭代法则，实行物业链协同研发，合伙饱吹行业内身手和工艺的成长，亦是紧要行业特质。

　　（2）受宏观经济、新兴需求、扩产周期、身手迭代等众重要素影响，半导体摆设行业流露必定周期性

　　从需求端来看，半导体摆设的需求高度依赖于人工智能、消费电子、数据核心、汽车工业等新兴行业的成长及宏观经济的景心胸。终端产物需求震撼的信号会沿着“终端操纵—芯片安排—芯片筑设”的物业链逐级传导，最终外现为芯片筑设厂扩产的需求高潮或节律放缓，因而，半导体摆设需求受下逛产能扩张节律震撼影响亦流露必定周期性。

　　芯片身手迭代进一步加强行业周期性特性，随进步逻辑、3D NAND、3D DRAM、高带宽存储器（HBM）等身手的速捷迭代升级，芯片筑设厂为适配新制程、新工艺的分娩哀求，往往必要启动新一轮产线升级与摆设采购，带头半导体摆设需求纠合开释，因而，半导体摆设行业受前述身手迭代周期影响亦展示必定周期性。

　　（3）下逛需求的不息伸长为高端半导体摆设行业供应了优良的成长时机和开朗的商场空间

　　进步制程的一连迭代，不光饱吹工艺身手不息向更高功能演进，也同步带头了高端半导体摆设的商场需求明显攀升。跟着人工智能（AI）、高功能盘算（HPC）、汽车电子（智能驾驶、车联网）、机械人及可穿着摆设等新兴规模身手的速捷成长和需求的发生式伸长，对芯片的算力、能效、集成度提出了更高哀求。为知足上述需求，芯片筑设厂一连促进进步制程的身手迭代，同时放大产能界限，直接拉动对高端半导体摆设的适配需求，饱吹半导体摆设行业一连扩容。

　　其余，跟着守旧硅基芯片正在后摩尔时期慢慢贴近物理极限，行业身手途途正正在从纯真仰仗制程升级的身手途途转向新架构安排、新质料操纵及芯片堆叠等立异目标，进而对高端半导体摆设提出更新、更高的身手立异哀求，也开荒了新的商场伸长空间。

　　遵循 SEMI最新预测，受益于进步制程芯片的产能增进及后摩尔时期身手改进带来的新需求，高端半导体摆设物业将迎来优良的成长时机，具有开朗的商场空间，动作中心摆设之一的薄膜重积摆设亦希望总体保留伸长态势。

　　（4）邦度战略的大举支柱为高端半导体摆设行业供应了优良的成长境况 集成电途行业是支柱经济成长、社会提高、邦防平和的紧要气力，而高端半导体摆设是驱动这一物业成长的基石。正在数字经济成为经济成长新动力、半导体芯片身手一连迭代，并慢慢向精巧化、眇小化成长的趋向下，高端半导体摆设的紧要位子日益凸显。近年来，邦度相闭部分出台包罗《首台（套）强大身手配备实行操纵诱导目次（2024年版）》等一系列促进扶助战略，为高端半导体摆设行业的高质地成长供应了有力支柱，邦内合座物业链趋于美满。

　　公司以“创设高端半导体摆设公司”为愿景，通过正在薄膜重积摆设规模、三维集陋习模的身手积蓄和速捷成长，仍旧成为邦内半导体摆设行业的领军企业。

　　邦度战略的一连出台充溢彰显了公司所属行业正在邦民经济中的闭节位子，也为高端半导体摆设行业供应了优良的成长境况。

　　半导体摆设产物具有身手庞杂、投资金额大、研发周期长、插手门槛高的特质。外洋龙头企业成长起步较早，其依附众年的身手重淀、产物线构造和品牌口碑积蓄，并通过并购等形式构造大宗半导体摆设细分商场，积蓄了较大的先发上风。从环球商场份额来看，薄膜重积摆设行业基础由海外邦际巨头商场份额占对比高。遵循 Gartner史书统计数据，正在 CVD商场中，AMAT、LAM和 TEL三大厂商吞没了环球约 70%的商场份额。正在晶圆级三维集陋习模，EV Group公司、SUSS、TEL等公司高度垄断了环球绝大一面的键合摆设商场份额。

　　近年来，邦内半导体摆设正在一面闭节规模杀青身手打破与立异，我邦半导体物业生态与筑设体例一连美满，高端摆设自给率慢慢提拔。正在邦内半导体行业加快迭代立异、摆设邦产化率稳步进步、AI等新兴规模带头进步芯片需求大幅伸长的后台下，以公司为代外的邦内高端半导体摆设厂商正迎来紧要的策略时机期，希望正在身手打破与商场拓展中翻开新的滋长空间。

　　公司历久专心于高端半导体专用摆设的研发与物业化，永远坚决自决立异，一连为半导体行业和客户供应具有角逐力的产物。公司正在策略构造、研发本领、身手秤谌、产物掩盖、客户资源、人才部队开发、供应链安靖等方面酿成角逐上风，实在外现为：

　　公司自设立时便确定了聚焦高端半导体薄膜重积摆设规模这一策略定位，并一连盘绕邦度策略目标、商场前沿身手、行业成长趋向及客户操纵需求等目标实行前瞻性构造，正在坚实薄膜重积摆设上风的根底上，面向后摩尔时期身手迭代目标，公司于 2018年即发端构造三维集陋习模摆设产物并杀青了明显功效，酿成“薄膜重积+三维集成”的产物德局。正在薄膜重积摆设方面，修筑掩盖 PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD和 Flowable CVD等全系列薄膜质料的摆设矩阵，深度掩盖逻辑芯片、存储芯片、进步封装等众元化操纵场景的需求；正在三维集成摆设规模，构造并推出了晶圆对晶圆混杂键合、芯片对晶圆混杂键合等系列产物，联系摆设已凯旋操纵于 3D NAND、图像传感器等规模，该系列产物可为高带宽存储器（HBM）、Chiplet等芯片身手供应紧要的摆设支柱。

　　公司以“创设高端半导体摆设公司”为愿景，通过正在薄膜重积摆设规模、三维集陋习模的身手积蓄和速捷成长，仍旧成为邦内半导体摆设行业的领军企业。

　　同时，公司效力策略目标稳步扩张，一连深耕现有中心赛道，饱吹正在薄膜重积摆设和三维集成摆设规模的纵深成长，同时，前瞻性构造前沿身手赛道，提前抢占行业另日成长制高点，稳步促进横向成长，合时实行物业链整合与交易延迟，不息提拔归纳角逐力与行业影响力。

　　公司永远坚决自决立异研发，以邦度策略目标、前沿身手趋向及客户操纵需求为导向发展研发处事，杀青薄膜重积摆设和三维集成摆设的全研发闭头掩盖，正在硬件安排、工艺斥地和编制集成等众方面，杀青了中心身手自决可控。依附深挚的整机配备自决研发体味和身手积蓄，公司保障了较高的研发自决性和天真性，面向客户进步制程工艺需求，或许速捷杀青进步产物身手研发，并高效告竣研发阶段向分娩阶段的速捷转化，实时反响下逛的供货需求。

　　公司的研发策略为“紧跟物业趋向、产物提前构造”，盘绕进步制程和后摩尔时期带来的身手迭代需求，实行超前于现时筑设节点身手代际的前瞻性根底商量与工艺斥地，提前修筑身手壁垒。正在此根底上，公司基于本身身手上风，与芯片筑设厂正在摆设选型阶段即与客户发展协同式研发，精准适配客户特定工艺质料、特定筑设工序的薄膜功能哀求，杀青常态化互动与协同立异。公司可能团结客户特定需求，供应定制化、适配度高办理计划，既知足了下逛芯片筑设厂速捷扩充产能的需求，也通过一连的身手迭代，配合客户杀青身手升级。其余，公司先后继承众项邦度强大专项/课题，整合物业资源插手身手攻坚，酿成了掩盖研发、分娩、供应各闭头的协同立异体例，支柱物业链合座身手秤谌提拔。

　　公司自制造此后，一连深耕高端半导体摆设规模，酿成了一系列具有自决常识产权的中心身手，并到达邦际进步秤谌。公司的中心身手普遍操纵于主生意务产物中，正在薄膜重积摆设规模，涵盖了进步薄膜工艺摆设安排身手、响应模块架构构造身手、半导体筑设编制高产能平台身手、等离子体安靖掌管身手等，办理了半导体筑设中纳米级厚度薄膜匀称一律性、薄膜皮相颗粒数目少、速捷成膜、摆设产能安靖高速等闭节困难，正在保障据现薄膜工艺功能的同时，通过安排定制化高产能平台，提拔摆设的分娩成果，进而提拔客户产线的产能，裁汰客户产线的分娩本钱。其余，公司面向三维集陋习模操纵，酿成了载片与器件晶圆高速高精度瞄准身手、晶圆级键合及时瞄准身手、芯片拾取与键称身手，杀青较高的晶圆键合精度，并大幅进步摆设产能。

　　公司通过自决研发，酿成了一系列独创性的安排，修筑了美满的常识产权体例并博得了众项自决常识产权。截至 2025年 9月 30日，公司累计申请专利 1,918项（含 PCT），得回授权专利 646项，个中发现专利 324项。

　　公司依托自决中心身手体例，修筑了美满的产物矩阵，正在所聚焦的产物系列中杀青工艺总共、深度的掩盖，量产摆设产物功能到达了邦际同类摆设进步秤谌，并一连迭代升级，速捷反响客户进步身手需求。正在薄膜重积摆设规模，推出了PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD为中心的全系列薄膜重积摆设，个中，PECVD摆设已杀青薄膜质料的总共掩盖，正在集成电途逻辑芯片、存储芯片等规模普遍操纵；正在 ALD摆设方面，推出了等离子体巩固原子层重积（PE-ALD）和热管制原子层重积（Thermal-ALD）摆设并杀青量产，目前邦内装机量及工艺掩盖均领先；HDPCVD、SACVD、Flowable CVD摆设可杀青芯片内分歧深浅三维构造的填充需求，已正在众条产线杀青物业化操纵。正在三维集成摆设规模，推出的晶圆对晶圆熔融键合摆设、芯片对晶圆混杂键合摆设等系列产物已凯旋操纵于 3D NAND、图像传感器等规模，可认为后摩尔时期身手成长供应支柱。

　　公司已修筑较为美满的薄膜重积摆设、三维集陋习模摆设的产物矩阵，并杀青邦产化打破与界限化操纵。薄膜重积摆设方面，公司依附优异的产物功能浮现一连得回客户订单，不息放大量产界限。截至陈述期末，公司产物已进入赶过70条芯片筑设厂分娩线；累计出货响应腔已赶过 3000个，且操纵于进步制程规模的高功能响应腔占比不息进步；正在客户端产线分娩产物的累计流片量已打破3.96亿片；客户端摆设均匀安靖运转时期（Uptime）赶过 90%（到达邦际主流秤谌）。其余，正在三维集成摆设方面，公司推超群款中心产物，联系产物延续通过客户验证并进入稳步放量阶段，是邦内进步混杂键合摆设规模身手领先厂商。

　　公司产物已进入逻辑芯片、存储芯片、进步封装等规模，杀青主流芯片筑设厂的深度掩盖与批量供货，适配从成熟制程到进步制程的工艺操纵需求。公司与客户的协作形式已从纯真的摆设供应升级为“协同研发+定制化适配+历久任职”的深度绑定形式，协作闭连流露安靖性强、掩盖面广、协同深远的特质，修筑了可一连的客户生态体例。

　　公司已修筑起一支兼具邦际视野与物业深度的高端半导体专用摆设身手研发及经管团队，通过“外部引智+内部育能”双轮驱动，酿成了安靖、高效且具备立异生机的人才梯队，为身手打破与产物迭代供应中心支柱。

　　正在人才梯队开发方面，公司修筑了美满的人才引进和提拔体例。一方面，通过长效股权激发机制、商场化薪酬福利与明了的职业成长途途，一连吸引行业内的资深人才，其正在整机安排、工艺斥地、编制掌管、软件迭代等闭节规模的身手积蓄，有力带头研发团队杀青产物立异；另一方面，公司自制造此后永远珍贵本土科研团队自决提拔，陪同 PECVD、ALD、沟槽填充 CVD、进步键合摆设等中心产物从研发到量产的全周期历练，本土团队已滋长为身手攻坚的中坚气力。

　　截至 2025年 9月 30日，公司研发职员界限达 678人，占员工总数的 40.72%，酿成掩盖半导体摆设研发全闭头的学科构造。个中，博士商量生 59人，占研发职员的 8.70%，硕士商量生 416人，占研发职员的 61.36%，团队成员兼具结实的专业常识储藏与丰厚的产线验证体味，正在身手研发、工艺优化等闭头分工昭彰、协同高效，保护成熟产物安靖迭代与进步产物的前瞻性身手研发。

　　陈述期内，公司中心身手团队安靖，为身手研发的一连性与产物立异的一连性供应了坚实保护。

　　公司创设了美满的供应链经管体例，吸纳积蓄环球半导体行业内的优质供应链资源，闭节零部件采用“众源采购”形式，并与中心供应商创设历久策略协作新机制，正在发展新产物、新身手斥地进程中保留与供应商的深度合作，确保部件产物功能到达发行人进步需求，酿成安靖的、互信的、共赢的供应链生态。这一体例为公司产物研发、量产交赋予一连立异供应了牢靠保护。

　　高端半导体摆设行业属于外率的资金茂密型、身手茂密型行业，近年来，跟着公司正在手订单安靖伸长，交易界限不息放大，公司对滚动资金需求不息增大；跟着公司身手秤谌的提拔，公司对前沿中心身手的投资需求也一连增进，由此对公司的资金储藏提出了更高的哀求，仅靠本身积蓄的资金形式不妨难以充溢掌握行业速捷成长带来的时机。因而，公司急需拓展众元化融资渠道，以进一步巩固本钱势力，支柱产能扩张与身手研发，为公司可一连强壮成长供应坚实保护。

　　公司动作邦内高端半导体摆设规模的领军企业，正在身手秤谌、研发本领、行业位子、客户资源等方面具备必定上风，但面临另日物业成长趋向及下旅客户对高端半导体摆设日益伸长的需求，公司现有产能难以知足另日商场必要。

　　因而，公司拟通过本次股票发行召募资金，加大上风项目投资，放大产能界限，以充溢知足客户需求、一连拓展商场份额，坚实并提拔行业角逐力和商场拥有率，杀青公司新一轮高质地成长。

　　公司厉重从事高端半导体专用摆设的研发、分娩、发卖及身手任职。公司通过向下旅客户发卖摆设并供应备品备件和身手任职来杀青收入和利润。陈述期内，公司主生意务收入来历于半导体摆设的发卖，其他交易收入厉重来历于摆设相闭的备品备件发卖。

　　公司厉重采用自决研发的形式。公司筑成了一支邦际化、专业化的研发身手团队。公司的研发团队构造合理，分工昭彰，专业常识储藏深挚，产线验证体味丰厚，是公司自决研发本领的紧要支柱。公司遵循客户需求，并以半导体专用摆设身手成长动态为导向，研发安排新产物、新工艺，研制机台正在通过公司测试之后，送至客户本质分娩境况中实行物业化验证，通过验证后产物正式定型。其余，公司会遵循客户分歧的工艺操纵需求，一连丰厚、美满量产产物功能。

　　公司采购厉重分为程序件采购和非标件采购。对付程序件采购，公司面向商场供应商实行直接采购。非标件厉重为公司研发分娩中，遵循特定身手需求，自行安排的部件。对付非标件采购，公司厉重通过向供应商供应安排图纸、身手参数，由供应商自行采购原质料实行加工并告竣定制。为保障公司产物的质地和功能，公司订定了厉刻的供应商引入、采取和评议轨制。公司对付供应商身手秤谌、加工摆设、良品率、运营本领等众维度实行评估，并邀请供应商按期实行新产物、新质料或加工身手换取，一连提拔供应商身手本领秤谌，以保障公司产物的身手进步性。公司按照研发项目需求、分娩需乞降物料库存情景，通过订单形式向供应商下发采购需求，并根据需求时期策画供应商排产，体味收及格后入库。

　　公司的产物厉重遵循客户的区别化需乞降采购意向，实行定制化安排及分娩筑设。公司厉重采用库存式分娩和订单式分娩相团结的分娩形式。库存式分娩，指公司尚未获取正式订单便发端分娩，包罗遵循 Demo订单或较昭彰的客户采购意向启动的分娩运动，实用于公司的 Demo机台和一面发卖机台。订单式分娩，指公司与客户签订正式订单后实行分娩，实用于公司大一面的发卖机台。

　　陈述期内，公司发卖形式为直销，通过与潜正在客户商务会商、招投标等形式获取客户订单。原委众年的悉力，公司已与邦内半导体芯片筑设厂商酿成了较为安靖的协作闭连。

　　产物报价、投标操作与经管（如实用）、发卖洽说、合同评审、发卖订单（或Demo订单）订立与奉行、产物装配调试、合同回款、客户验收及售后任职等程序。公司的摆设发运至客户指定所在后，必要正在客户的分娩线进步行装配调试。

　　大凡客户正在告竣联系测试后，对摆设实行验收，公司正在客户端验收告竣后确认收入。

　　公司厉重从事高端半导体专用摆设的研发、分娩、发卖与身手任职。自制造此后，公司永远坚决自决研发、自决立异，目前已酿成 PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD等薄膜重积摆设产物，以及操纵于三维集陋习模的进步键合摆设和配套的量检测摆设产物，薄膜重积摆设产物已普遍操纵于邦内集成电途逻辑芯片、存储芯片等筑设产线，进步键合摆设和配套的量检测摆设产物已正在进步存储、图像传感器（CIS）等规模杀青量产。

　　陈述期内，公司主动掌握半导体芯片身手迭代升级与邦产替换的成长时机，不息拓展新工艺、新产物以及新型平台、新型响应腔的验证与物业化，一连保留产物中心角逐力，公司研制的 PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD等薄膜重积摆设产物、进步键合摆设产物和配套的量检测摆设产物已杀青物业化操纵，并正在进步制程规模新产物拓展与量产操纵方面博得了卓越功效，交易界限慢慢放大，摆设功能和产能均到达邦际同类摆设进步秤谌。实在产物情景如下： （1）PECVD系列产物

　　PECVD摆设动作公司中心产物，是芯片筑设的中心摆设之一，其厉重效力是将硅片掌管到预订温度后，操纵射频电磁震撼作能量源正在硅片上方酿成低温等离子体，通入适合的化学气体，正在等离子体的激活下，经一系列化学响应正在硅片皮相酿成固态薄膜。比拟守旧的 CVD摆设，PECVD摆设正在相对较低的响应温度下酿成高致密度、高功能薄膜，不粉碎已有薄膜和已酿成的底层电途，杀青更公司自制造就发端研制 PECVD摆设，正在 PECVD摆设身手规模具有十余年的研发和物业化体味，并酿成了掩盖全系列 PECVD薄膜质料的摆设，厉重包罗PECVD产物和 UV Cure产物。（未完）